Перегляд за темою "Материалы для микроэлектроники"

Результати 1-20 з 26

Наступна сторінка

Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge

Олих, Я.М.; Лисюк, И.А.; Тимочко, Н.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

На модельных образцах нейтронно-легированного Се испытана оригинальная методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука.
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры

Орлов, В.Д.; Удовицкий, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Исследованы тонкие пленки органических полупроводников с макроциклической структурой фталоцианина и дигидродибензотетрааза[14]аннулена. Подтверждено, что при напылении в вакууме химическая структура молекул органических ...
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия

Завадский, В.А.; Ленков, С.В.; Лукомский, Д.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)

Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в ...
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

Бончик, А.Ю.; Ижнин, И.И.; Кияк, С.Г.; Савицкий, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения

Абызов, А.С.; Ажажа, В.М.; Давыдов, Л.Н.; Ковтун, Г.П.; Кутний, В.Е.; Рыбка, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

Марончук, И.Е.; Курак, В.В.; Андронова, Е.В.; Баганов, Е.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)

Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ...
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП

Вакив, Н.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

Решение задачи способствует созданию функциональных материалов электронной техники с наперед заданными и стабильными эксплуатационными свойствами.
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики

Балицкая, В.А.; Брунец, И.М.; Вакив, Н.М.; Клым, Г.И.; Шпотюк, О.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"

Косяченко, Л.А.; Марков, А.В.; Остапов, С.Э.; Раренко, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)

Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной ...
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

Кондрик, А.И.; Ковтун, Г.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)

Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения ...
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров

Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Матвиенко, С.Н.; Хорвенко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)

Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные ...
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe

Власенко, А.И.; Власенко, З.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения.
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники

Ажажа, В.М.; Ковтун, Г.П.; Неклюдов, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)

Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr ...
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика

Курмашев, Ш.Д.; Викулин, И.М.; Ленков, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой ...
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС

Балицкая, В.А.; Вакив, Н.М.; Шпотюк, О.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)

Обсуждаются экспериментальные реузльтаты низкотемпературной деградации терморезисторов с отрицательным ТКС на основе манганитов переходных металлов (Cu, Ni, Co, Mn)₃O₄. Впервые установлено, что, независимо от химического ...
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения

Мокрицкий, В.А.; Ленков, С.В.; Маслов, О.В.; Савельев, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для ...
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения

Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

Изготовленные гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) могут быть использованы для упрощения регистрации азимутальной ориентации плоскополяризованного света.
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники

Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых ...
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe

Завадский, В.А.; Зубарев, В.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и ...
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

Мокрицкий, В.А.; Гаркавенко, А.С.; Зубарев, В.В.; Ленков, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)

Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов ...

Результати 1-20 з 26

Наступна сторінка

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за темою "Материалы для микроэлектроники"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за темою "Материалы для микроэлектроники"

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис