Перегляд за темою "Датчики"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров 
    Негоденко, О.Н.; Семенцов, В.И.; Мардамшин, Ю.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Предлагается повышать чувствительность индуктивных балансных сенсоров (ИБС) настройкой выходного контура в резонанс с частотой генератора, а также увеличением количества входных катушек. Это позволяет увеличить расстояние ...
  • Датчики ускорений на базе микромеханики и микроэлектроники 
    Голуб, В.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Описаны современные датчики ускорений (акселерометры), использующие новейшие принципы конструирования микромеханических и микроэлектронных приборов. Рассмотрены промышленные образцы датчиков, выпускаемых фирмой Analog ...
  • Датчик углекислого газа на основе пленки поликристаллического кремния 
    Агаев, Ф.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Проведено исследование электрических характеристик пленок поликристаллического кремния крестообразной конфигурации под влиянием углекислого газа. Показано, что приложение напряжения смещения к одному из плеч элемента ...
  • Интегральные микроэлектронные преобразователи для дистанционных измерений 
    Гусейнов, Я.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Разработаны магнито- и газочувствительные интегральные преобра­зователи с частотным выходом на базе пленок поликристаллического кремния, выращенных в едином технологическом цикле эпитаксиаль­ного наращивания монокристаллических ...
  • Исследование механических напряжений в эпитаксиальных датчиках Холла различной конфигурации 
    Касимов, Ф.Д.; Исмайлова, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Локальным идентированием экспериментально исследовано распределение механических напряжений в элементах эпитаксиальных структур в зависимости от их размеров и конфигурации. Определены минимальные размеры эпитаксиальных ...
  • Методы уменьшения температурной погрешности датчиков давления 
    Васильев, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Проведен анализ температурных погрешностей датчиков давления, выявлена физическая природа их возникновения. Выработаны рекомендации по конструированию датчиков давления с уменьшенной температурной погрешностью. Классифицированы ...
  • Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления 
    Адарчин, С.А.; Кужненков, А.С.; Кожитов, Л.В.; Косушкин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Установлен механизм деградации и возникновения отказов микроэлектромеханических структур датчиков давления. Предложена математическая модель изменения величины температурного гистерезиса выходного сигнала датчиков, установлена ...
  • Оптоэлектронный люминесцентный газоанализатор 
    Плавинский, Е.Б.; Копытчук, Н.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Разработан оптоэлектронный газоанализатор кислорода, в котором используется люминесцентный метод. В приборе применены твердотельные источники и приемники излучений, а чувствительный элемент выполнен на основе полимерной ...
  • Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС 
    Лепих, Я.И.; Лопушенко, В.К.; Черняк, Н.Г.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены особенности проектирование датчиков давления с первичным преобразователем на поверхностных акустических волнах для АЭС. Описаны структурная схема и конструкция датчика. Проводится анализ функциональной схемы ...
  • Планарные взаимоиндуктивные сенсоры для датчиков положения и приближения 
    Негоденко, О.Н.; Черевко, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предварительная разбалансировка индуктивного балансного сенсора путем сближения катушек относительно положения баланса приводит к уменьшению выходного напряжения по мере приближения к сенсору проводящей пластины. При этом ...
  • Преобразование низкочастотных флуктуаций электропроводности в датчиках с нелинейной ВАХ 
    Головко, А.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрена возможность оценки уровня низкочастотных флуктуаций напряжения для датчиков с нелинейными вольт-амперными характеристиками вследствие возникновения флуктуации их проводимости.
  • Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок 
    Клюканов, А.А.; Сенокосов, Э.А.; Богинский, Д.Е.; Сорочан, В.В.; Фещенко, Л.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Приводятся результаты теоретических расчетов функции распределения темнового и светового потенциалов по поверхности проводящего полупроводникового диска (пленки) с четырьмя квадратно расположенными по его краям электрическими ...