Перегляд за автором "Резник, И.М."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ 
    Волошин, В.А.; Михеенко, П.И.; Бабенко, В.В.; Бутько, В.Г.; Резник, И.М.; Южелевский, Я.И. (Физика низких температур, 1995)
    Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации ...
  • Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП 
    Резник, И.М. (Физика низких температур, 1996)
    Представлена теория для расчетов электронной плотности в ВТСП, которая обобщает статистический метод Томаса—Ферми и расширяет область его применимости в случае малых добавок к плавно изменяющемуся потенциалу.
  • Состояние иона празеодима в системе YBaCuO 
    Волошин, В.А.; Бабенко, В.В.; Бутько, В.Г.; Резник, И.М.; Фоскарино, Е.В. (Физика низких температур, 1996)
    Предполагается, что ион празеодима в YBaCuO находится в состоянии смешанной валентности (4f² ↔ 4f¹) с периодом меньше 10⁻¹³ с. С тем же периодом 4f-конфигурация участвует в образовании химической связи празеодима и кислорода, ...