Представлена теория для расчетов электронной плотности в ВТСП, которая обобщает статистический метод Томаса—Ферми и расширяет область его применимости в случае малых добавок к плавно изменяющемуся потенциалу.
Викладено теорію для розрахунків розподілу електронного заряду в ВТНП, яка узагальнює статистичний метод Томаса—Фермі, та поширює область його використання на випадок невеликих домішок до потенціалу, що плавно змінюється.
The theory is given to calculate the electron density distribution that generalizes the Thomas-Fermi statistical method and extends the field of its application to the case of a small addition to the slowly varying potential.