Перегляд за автором "Ижнин, И.И."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов 
    Власенко, А.И.; Власенко, З.К.; Гнатюк, В.А.; Смирнов, А.Б.; Курило, И.В.; Рудый, И.А.; Ижнин, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно ...
  • Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si 
    Бончик, А.Ю.; Ижнин, И.И.; Кияк, С.Г.; Савицкий, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
  • Микрочиповые лазеры 
    Матковский, А.О.; Сыворотка, И.М.; Убизский, С.Б.; Мельник, С.C.; Вакив, Н.М.; Ижнин, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового ...
  • Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ 
    Ижнин, И.И.; Вакив, Н.М.; Ижнин, А.И.; Сыворотка, И.М.; Убизский, С.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Разработан макетный образец монолитного твердотельного микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности па основе Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ с применением метода жидкофазной эпитаксии.
  • Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс” 
    Савицкий, Г.В.; Бончик, А.Ю.; Ижнин, И.И.; Кияк, С.Г.; Могиляк, И.А.; Тростинский, И.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Проведена модернизация промышленной установки фотонного отжига полупроводниковых пластин "Оникс" для обеспечения повторяемости и воспроизводимости температурно-временных циклов отжига малой длительности при высоких скоростях ...