Влияние перемещения плазменного источника нагрева на формирование структуры плоских монокристаллов вольфрама

Abstract

Рассмотрены способы послойного формирования плоских монокристаллов вольфрама при плазменно-индукционном способе их получения. Определено влияние характера перемещения плазменного источника нагрева на формирование субструктуры монокристаллов. Показано, что при способе возвратно-поступательного перемещения ванны жидкого металла нивелируется возможность отклонения кристаллографической оси выращивания от заданного направления.

Methods of layer-by-layer formation of plane single crystals of tungsten in plasma-induction method of their producing are considered. The effect of nature of movement of plasma heat source on the formation of substructure of single crystals was defined. It is shown that using the method of reciprocal movement of molten metal pool the adjustment of deviation of crystallographic axis of growing from the preset direction is possible.