Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Васильев, В.А. |
|
dc.date.accessioned |
2014-11-11T20:00:30Z |
|
dc.date.available |
2014-11-11T20:00:30Z |
|
dc.date.issued |
2002 |
|
dc.identifier.citation |
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников / В.А. Васильев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 46-49. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70742 |
|
dc.description.abstract |
Комплекс позволяет исследовать оптические свойства полупроводниковых материалов, в частности, ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесей. В его основу положен метод оптоемкостной спектроскопии. Метод является бесконтактным, позволяет исследовать образцы полупроводниковых материалов, толщина которых меньше, чем диффузионная длина свободных носителей заряда. Комплекс состоит из монохроматора, исследуемой твердотельной структуры, оптоемкостного преобразователя и регистратора. Описан алгоритм автоматизированной настройки канала измерения. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Технология производства |
uk_UA |
dc.title |
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
681.325 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті