Анотація:
Комплекс позволяет исследовать оптические свойства полупроводниковых материалов, в частности, ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесей. В его основу положен метод оптоемкостной спектроскопии. Метод является бесконтактным, позволяет исследовать образцы полупроводниковых материалов, толщина которых меньше, чем диффузионная длина свободных носителей заряда. Комплекс состоит из монохроматора, исследуемой твердотельной структуры, оптоемкостного преобразователя и регистратора. Описан алгоритм автоматизированной настройки канала измерения.