СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн

dc.contributor.author	Иващук, А.В.
dc.contributor.author	Босый, В.И.
dc.contributor.author	Ковальчук, В.Н.
dc.date.accessioned	2014-11-11T15:02:10Z
dc.date.available	2014-11-11T15:02:10Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн / А.В. Иващук, В.И. Босый, В.Н. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 27-31. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70714
dc.description.abstract	Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов около 100 мВт на 1 дБ компрессии, коэффициент шума не более 3,0 дБ, коэффициент усиления по мощности при этом не менее 4 и 7 дБ на частотах 36 и 18 ГГц, соответственно. Описана конструкция измерительных устройств и методика исследования этих параметров в короткой части сантиметрового и в миллиметровом диапазоне длин волн.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микроэлектроника	uk_UA
dc.title	СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн	uk_UA
dc.title.alternative	НВЧ польові транзистори середньої потужності міліметрового діапазону довжини хвиль	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.323