Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Емцев, П.А.
dc.date.accessioned 2014-11-11T15:00:32Z
dc.date.available 2014-11-11T15:00:32Z
dc.date.issued 2003
dc.identifier.citation Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 20-26. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70713
dc.description.abstract Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. Описан алгоритм экстракции параметров малосигнальной модели. Даны ссылки на источники, в которых описаны алгоритмы экстракции параметров для шумовых и нелинейных моделей. Приведены рекомендации по выбору модели транзистора для проектирования конкретных устройств. Поставлена задача разработки универсальной модели и внесения соответствующих изменений в программное обеспечение. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Функциональная микроэлектроника uk_UA
dc.title Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов uk_UA
dc.title.alternative Моделювання транзисторів з високою рухливістю електронів uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.382.3


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис