Представлены результаты исследований роста аморфных пленок нитрида углерода a-C:N в условиях интенсивных процессов травления на ростовой поверхности. Обнаружены значительное изменение фазового состава получаемых пленок при различной концентрации травящих компонент в ростовой атмосфере и образование трех принципиально различных типов пленок a-C:N.
Results of researches of the carbon nitride films a-C:N growth in conditions of intensive etching processes on the growth surface are presented. Significant change in phase structure of obtained films at various etching component concentrations in the growth atmosphere and formation of three essentially various types of a-C:N films are revealed.