Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур

dc.contributor.author	Ковалюк, З.Д.
dc.contributor.author	Катеринчук, В.Н.
dc.contributor.author	Политанская, О.А.
dc.contributor.author	Сидор, О.Н.
dc.date.accessioned	2014-01-25T12:54:26Z
dc.date.available	2014-01-25T12:54:26Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53631
dc.description.abstract	Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив γ-опромінення на фотоелектричні параметри InSe-гетероструктур	uk_UA
dc.title.alternative	Influence of γ-radiation on electrical parameters InSe-heterostructures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA