Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металло­полу­проводниковыми переходами

dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.contributor.author	Каримов, А.В.
dc.date.accessioned	2014-01-25T12:42:53Z
dc.date.available	2014-01-25T12:42:53Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53627
dc.description.abstract	Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами	uk_UA
dc.title.alternative	Визначення характеристик двобар'єрних фотодіодних структур з металнапівпровідниковими переходами	uk_UA
dc.title.alternative	Definition of characteristic of two-barrier photodiode structures with meta1-semiconduction transition	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA