Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности

dc.contributor.author	Кушниренко, В.В.
dc.contributor.author	Нинидзе, Г.К.
dc.contributor.author	Павлюк, С.П.
dc.contributor.author	Коноваленко, Л.Д.
dc.date.accessioned	2014-01-25T12:40:47Z
dc.date.available	2014-01-25T12:40:47Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, Л.Д. Коноваленко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 23-26. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53626
dc.description.abstract	Определены параметры кремниевых диффузионных резисторов, необходимые для расчета их конструктивных и эксплуатационных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в резисторах.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности	uk_UA
dc.title.alternative	Дослідження кремнієвих дифузійних резисторів при протіканні імпульсного струму великої щільності	uk_UA
dc.title.alternative	Investigation of silicon diffusion resistors at course of a pulse of a high current	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA