Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора

dc.contributor.author	Шварц, Ю.М.
dc.contributor.author	Яганов, П.А.
dc.contributor.author	Дзюба, В.Г.
dc.date.accessioned	2014-01-25T12:37:53Z
dc.date.available	2014-01-25T12:37:53Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора / Ю.М. Шварц, П.А. Яганов, В.Г. Дзюба // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 18-22. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53625
dc.description.abstract	Впервые предложен нейросетевой алгоритм обработки экспериментальных данных, что позволило повысить точность аппроксимации до 1,5 мК в диапазоне температур 4,2—357 К.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Сенсоэлектроника. Датчики	uk_UA
dc.title	Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора	uk_UA
dc.title.alternative	Нейросітьова апроксимація термометричної характеристики діодного сенсору	uk_UA
dc.title.alternative	Neuronet approximation thermometrical characteristics of the diode temperatures sensor	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA