Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

dc.contributor.author	Ануфриев, Л.П.
dc.contributor.author	Баранов, В.В.
dc.contributor.author	Соловьев, Я.А.
dc.contributor.author	Тарасиков, М.В.
dc.date.accessioned	2014-01-25T11:18:37Z
dc.date.available	2014-01-25T11:18:37Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 55-56. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53610
dc.description.abstract	Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки	uk_UA
dc.title.alternative	Технологія отримання плівок силіциду паладію для потужних діодів Шоткі	uk_UA
dc.title.alternative	Palladium silicide films technology for power Schottky diodes	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA