Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом

dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.date.accessioned	2014-01-18T21:53:43Z
dc.date.available	2014-01-18T21:53:43Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53275
dc.description.abstract	Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом	uk_UA
dc.title.alternative	Механізм насичення струму стоку польового транзистора з р–n-переходом	uk_UA
dc.title.alternative	Mechanism of drain current's saturation in the field transistor with p-n-junction	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA