Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей

dc.contributor.author	Федорович, О.А.
dc.contributor.author	Кругленко, М.П.
dc.contributor.author	Полозов, Б.П.
dc.date.accessioned	2013-12-29T22:21:48Z
dc.date.available	2013-12-29T22:21:48Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей / О.А. Федорович, М.П. Кругленко, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 46-49. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52331
dc.description.abstract	Выбраны оптимальные режимы плазмохимического травления торцов пластин в реакторе, разработанном в ИЯИ, который по производительности превосходит лучший зарубежный аналог при более высоком качестве обработки пластин.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей	uk_UA
dc.title.alternative	Особливості плазмохімічного травлення торців кремнієвих пластин для фотоелектричних перетворювачів	uk_UA
dc.title.alternative	Peculiarity of plasmachemical etching of silicon plate edges of photoelectric converters	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA