Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011, № 3 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011, № 3 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Анизотропный термоэлемент в режиме генерации эдс и тока 
    Анатычук, Л.И.; Прибыла, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Разработаны компьютерные методы и программы, позволяющие провести оптимизацию конструкции анизотропного термоэлемента, направленную на повышение его энергетических характеристик.
  • Выбор оптимальных параметров некоторых узлов частотомеров СВЧ-диапазона 
    Криваль, И.И.; Скрипнюк, А.И.; Проценко, В.А.; Марьенко, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Приведены рекомендации по выбору оптимальных параметров таких узлов частотомеров СВЧ-диапазона, как преобразователь частоты, синтезатор частоты, усилитель промежуточной частоты, позволяющих увеличить чувствительность ...
  • Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов 
    Подкамень, Л.И.; Гавриляк, М.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Разработанная автоматизированная установка позволяет оценивать изменения показателя преломления водных растворов с точностью до 10⁻⁷. Приведены методические рекомендации по ее использованию.
  • Выставки 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
  • Индуктивный негасенсор 
    Войцеховская, Е.В.; Лищинская, Л.Б.; Лазарев, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза.
  • Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током 
    Добровольский, Ю.Г.; Ащеулов, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 ...
  • Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe 
    Загоруйко, Ю.А.; Коваленко, Н.О.; Христьян, В.А.; Федоренко, О.А.; Герасименко, А.С.; Добротворская, М.В.; Матейченко, П.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения.
  • Моделирование электротоковых микрореле 
    Мухуров, Н.И.; Ефремов, Г.И.; Жвавый, С.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    По результатам моделирования предложена конструкция электротокового микрореле. Оценены характеристики микрореле при различных направлениях протекания электрического тока через меандровую систему планарной конструкции.
  • Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники 
    Одиноков, В.В.; Павлов, Г.Я. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Представлены новые разработки - комплекты вакуумно-плазменного и физико-термического технологического оборудования микро-, нано-, радиоэлектроники для технического обучения, научных исследований, отработки технологических ...
  • Новые книги 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
  • Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов 
    Гуляев, Ю.В.; Ждан, А.Г.; Чучева, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения.
  • Памятка автору журнала "ТКЭА" 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
  • Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок 
    Душкин, С.А.; Иванский, В.Б.; Куров, А.М.; Одинец, В.А.; Оробинский, А.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Рассчитаны погрешности при измерении средней энергии, коэффициента гомогенности, первого и второго слоя половинного ослабления рентгеновских установок. Проведено сравнение погрешностей с требованиями стандартов.
  • Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС 
    Горбань, А.Н.; Кравчина, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А.
  • Скоростные уравнения экситонного лазера 
    Гаркавенко, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Получены скоростные уравнения экситонного лазера в системе взаимодействующих экситонов и выведены условия инверсной населенности и генерации.Указана принципиально новая возможность создания гамма-лазера.
  • Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники 
    Руденко, А.И.; Кравец, В.Ю.; Зарипов, В.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Приведены результаты исследования теплопередающих характеристик радиатора на основе тепловой трубы для охлаждения элементов персональных компьютеров.
  • Титульные страницы и содержание 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис