Изменение электронной плотности в кристаллах YBa₂Cu₃O₇ при замещении Y³⁺ ионом Рг⁴⁺

Abstract

Проведен расчет и построены карты распределения электронной плотности (ЭП) ячеек кристаллов Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ и Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, что замена иона Y³⁺ ионом Рг⁴⁺ приводит к деформации распределения ЭП вблизи СиO₂-плоскостей. Сделано предположение, что сверхпроводящий ток протекает в двумерных слоях минимальной ЭП.

Проведено разрахунок та побудовано карти розподілу електронної густини (ЕГ) элементарних комірок кристалів у Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ та Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ . Показано, що заміна іона Y³⁺ іоном Рг⁴⁺ деформує розподіл ЕГ поблизу СиO₂ -площини. Зроблено припущення, що надпровідний струм тече у двовимірних шарах міні­ мальної ЕГ.

The electron density distribution of the cells of Y³⁺ YBa₂Cu₃O₇ and Рг⁴⁺ YBa₂Cu₃O₇ is calculated and mapped. It is shown that the substitution of Y³⁺ ion by Рг⁴⁺ ion deforms the electron density distribution in the vicinity of the СиO₂ planes. It is supposed, that super­ current flows in two-dimensional layers of the lowest electron density.