Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Fedorovich, O.A.
dc.contributor.author Kruglenko, M.P.
dc.contributor.author Polozov, B.P.
dc.date.accessioned 2011-02-26T23:08:58Z
dc.date.available 2011-02-26T23:08:58Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 6. — С. 185-187. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1562-6016
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17499
dc.description.abstract The experimental dependence of the etching rate monosilicon of self-bias voltages on the active electrode at other constant conditions in the discharge is shows. With increasing negative bias potential monosilicon etching rate increases, then reaches a maximum at Ubias ≈ - (140…160 V). Further increasing of negative potential, regardless from method of preparation leads to a decrease in the monosilicon etching rate. This effect can be explained by an increase in dispersion of the active electrode. Application of a positive potential leads to polymer films deposition. Monosilicon etching rate increases with a positive potential bias rise on the active electrode. uk_UA
dc.description.abstract Приведены экспериментальные зависимости скорости травления монокремния от напряжений смещения на активном электроде при других неизменных условиях в разряде. При увеличении отрицательного потенциала смещения скорость травления монокремния увеличивается, достигая максимума при Uсм ≈ -(140…160) В. Дальнейшее увеличение отрицательного потенциала, независимо от метода его получения, приводит к уменьшению скорости травления монокремния. Указанный эффект может объясняться увеличением распыления активного электрода. Подача положительного потенциала приводит к осаждению полимерных пленок. Скорость травления монокремния увеличивается с увеличением положительного потенциала смещения на активном электроде. uk_UA
dc.description.abstract Наведено експериментальні залежності швидкості травлення монокремнію від напруги зміщення на активному електроді при інших незмінних умовах у розряді. При збільшенні негативного потенціалу зміщення швидкість травлення монокремнію збільшується, досягає максимуму при U≈ -(140…160) В. Подальше збільшення негативного потенціалу, незалежно від методу його отримання, призводить до зменшення швидкості травлення монокремнію. Зазначений ефект може пояснюватися збільшенням розпилення активного електрода. Подача позитивного потенціалу призводить до осадження полімерних плівок. Швидкість травлення монокремнію збільшується зі збільшенням позитивного потенціалу зміщення на активному електроді. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України uk_UA
dc.subject Низкотемпературная плазма и плазменные технологии uk_UA
dc.title About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon uk_UA
dc.title.alternative О влиянии энергии электронов и ионов на скорость электронно- и ионно- стимулированного плазмохимического травления кремния uk_UA
dc.title.alternative Про вплив енергії електронів і іонів на швидкість електронно- і іонно-стимулюванного плазмохімічного травлення кремнію uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис