The experimental dependence of the etching rate monosilicon of self-bias voltages on the active electrode at other constant conditions in the discharge is shows. With increasing negative bias potential monosilicon etching rate increases, then reaches a maximum at Ubias ≈ - (140…160 V). Further increasing of negative potential, regardless from method of preparation leads to a decrease in the monosilicon etching rate. This effect can be explained by an increase in dispersion of the active electrode. Application of a positive potential leads to polymer films deposition. Monosilicon etching rate increases with a positive potential bias rise on the active electrode.
Приведены экспериментальные зависимости скорости травления монокремния от напряжений смещения на активном электроде при других неизменных условиях в разряде. При увеличении отрицательного потенциала смещения скорость травления монокремния увеличивается, достигая максимума при Uсм ≈ -(140…160) В. Дальнейшее увеличение отрицательного потенциала, независимо от метода его получения, приводит к уменьшению скорости травления монокремния. Указанный эффект может объясняться увеличением распыления активного электрода. Подача положительного потенциала приводит к осаждению полимерных пленок. Скорость травления монокремния увеличивается с увеличением положительного потенциала смещения на активном электроде.
Наведено експериментальні залежності швидкості травлення монокремнію від напруги зміщення на активному електроді при інших незмінних умовах у розряді. При збільшенні негативного потенціалу зміщення швидкість травлення монокремнію збільшується, досягає максимуму при U≈ -(140…160) В. Подальше збільшення негативного потенціалу, незалежно від методу його отримання, призводить до зменшення швидкості травлення монокремнію. Зазначений ефект може пояснюватися збільшенням розпилення активного електрода. Подача позитивного потенціалу призводить до осадження полімерних плівок. Швидкість травлення монокремнію збільшується зі збільшенням позитивного потенціалу зміщення на активному електроді.