Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення інформатики
→
Реєстрація, зберігання і обробка даних
→
Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2018 (том 20)
→
Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2018, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Суховій, Н.О.
dc.contributor.author	Ляхова, Н.М.
dc.contributor.author	Масол, І.В.
dc.contributor.author	Осінський, В.І.
dc.date.accessioned	2020-05-08T18:59:10Z
dc.date.available	2020-05-08T18:59:10Z
dc.date.issued	2018
dc.identifier.citation	Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів / Н.О. Суховій, Н.М. Ляхова, І.В. Масол, В.І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2018. — Т. 20, № 3. — С. 13–20. — Бібліогр.: 28 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	1560-9189
dc.identifier.other	DOI: https://doi.org/10.35681/1560-9189.2018.20.3.158511
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168761
dc.description.abstract	Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів ІІІ-нітридів.	uk_UA
dc.description.abstract	Исследование применения нанотекстурированного сапфира как темплета при MOCVD-гетероэпитаксии ІІІ-нитридов.	uk_UA
dc.description.abstract	It is considered some applications of nano-textured sapphire templates with MOCVD- III-nitride hetero-structure, namely its suitability for use in UV photodiodes and for energy storage layers, as ideally suited through its high thermal, chemical and radiation resistance due to the strong bond between nitrogen and group III atoms for space, biological, and military integrated circuits, where traditional silicon does not fit.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Інститут проблем реєстрації інформації НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Реєстрація, зберігання і обробка даних
dc.relation.ispartof	Реєстрація, зберігання і обробка даних
dc.subject	Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних	uk_UA
dc.title	Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів	uk_UA
dc.title.alternative	A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382; 621.383