Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення інформатики
→
Реєстрація, зберігання і обробка даних
→
Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2018 (том 20)
→
Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2018, № 3
→
Переглянути статтю

Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів

Суховій, Н.О. ; Ляхова, Н.М. ; Масол, І.В. ; Осінський, В.І.

Інші назви: A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides

Тема: Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних

УДК: 621.382; 621.383

Інший ID: DOI: https://doi.org/10.35681/1560-9189.2018.20.3.158511

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168761

Посилання: Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів / Н.О. Суховій, Н.М. Ляхова, І.В. Масол, В.І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2018. — Т. 20, № 3. — С. 13–20. — Бібліогр.: 28 назв. — укр.

Дата: 2018

Завантажень: 194

Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів

Анотація:

Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів ІІІ-нітридів.

Исследование применения нанотекстурированного сапфира как темплета при MOCVD-гетероэпитаксии ІІІ-нитридов.

It is considered some applications of nano-textured sapphire templates with MOCVD- III-nitride hetero-structure, namely its suitability for use in UV photodiodes and for energy storage layers, as ideally suited through its high thermal, chemical and radiation resistance due to the strong bond between nitrogen and group III atoms for space, biological, and military integrated circuits, where traditional silicon does not fit.

Показати повний запис статті