Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
→
Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника за датою випуску

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника за датою випуску

Результати 1-20 з 108

Наступна сторінка

Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (обзор)

Толмачев, И.Д.; Стронский, А.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Рассмотрены методики измерения и основные экспериментальные результаты по измерению нелинейных оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП). Приведены примеры реализации устройств оптической ...
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів

Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мазарчук, І.О.; Кролевець, М.М.; Лук’яненко, В.І.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення ...
Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов

Павлюченко, А.С.; Кукла, А.Л.; Голтвянский, Ю.В.; Архипова, В.М.; Дзядевич, С.В.; Солдаткин, А.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p- канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного ...
Экспресс-метод определения наименьшей разницы цветов испытуемого люмино-фора и белого света

Хмиль, Д.Н.; Камуз, А.М.; Олексенко, П.Ф.; Алексенко, Н.Г.; Камуз, В.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Разработан экспресс-метод определения наименьшей разницы цвета (НРЦ) люминофора и белого света. Метод испытан на трех типах люминофоров с коэффициентами поглощения в области излучения синих светодиодов 454—464 нм от ...
Газовый сенсор на поверхностных плазмонах для распознавания спиртов с использованием чувствительных пленок каликсаренов

Христосенко, Р.В.; Костюкевич, Е.В.; Зыньо, С.А.; Павлюченко, А.С.; Самойлов, А.В.; Ушенин, Ю.В.; Костюкевич, С.А.; Кальченко, В.И. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

В работе показана возможность построения многоэлементного газового сенсора спиртов на основе преобразователя поверхностного плазмонного резонанса (ППР) и сенсорного массива с перекрестной реактивностью. В качестве ...
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки

Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно ...
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Розглянуто основні особливості нанооб’єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У ...
Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Михайловська, К.В.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних ...
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками

Павлович, І.І.; Копил, О.І.; Томашик, В.М. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Проведено експериментальні дослідження залежностей термоЕРС і електропровідності р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ та n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, вирощених методом вертикальної зонної плавки, залежно від ...
Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

Литовченко, Н.М.; Насека, Ю.Н.; Прохорович, А.В.; Рашковецкий, Л.В.; Стрильчук, О.Н.; Сизов, Ф.Ф.; Войциховская, О.О.; Данильченко, Б.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение ...
Оптоелектронний колориметричний сенсор аміаку

Вахула, О.А.; Хоруженко, В.Ю.; Кукла, О.Л.; Самойлова, І.О.; Шульженко, О.В.; Манорик, П.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Розроблено оптоелектронну колориметричну систему для детектування парів аміаку із застосуванням стрічкового хімічного сенсора на основі високоселективного бромкрезолового індикатора. Досліджено чутливість системи щодо ...
Сенсор поверхностного плазмонного резонанса для определения уровня барбитуратов в жидкой пробе

Костюкевич, Е.В.; Костюкевич, С.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Разработана методика управления селективностью поверхности сенсора поверхностного плазмонного резонанса (ППР) с использованием самоорганизованной матричной системы золото—меркаптаны разной длины и структуры. Показано, что ...
Поверхневі поляритони в монокристалах 6Н-SiC, розміщених у сильному однорідному магнітному полі

Венгер, Є.Ф.; Євтушенко, А.І.; Мельничук, Л.Ю.; Мельничук, О.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Показано можливість збудження поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів (ПП) в оптично-анізотропних монокристалах карбіду кремнію (політип 6H), розміщених у сильному однорідному магнітному полі за взаємно ...
Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния

Власенко, Н.А.; Сопинский, Н.В.; Гуле, Е.Г.; Велигура, Л.И.; Братусь, В.Я.; Мельник, Р.С.; Денисова, З.Л.; Мухльо, М.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает ...
Титульная страница и содержание

Автор відсутній (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років

Мачулін, В.Ф. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
Наноинтеграция и самосборка в нано-электронике (обзор)

Свечников, Г.С.; Морозовская, А.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Обзор охватывает современные принципы интеграции и самосборки наноразмерных элементов, их массивов и иерархических структур в электронике. В качестве материалов для наноинтеграции рассмотрены углеродные нанотрубки, графен ...
Планарные волноводные структуры на основе нанопористых пленок оксида алюминия в условиях поверхностного плазмонного резонанса

Ушенин, Ю.В.; Христосенко, Р.В.; Самойлов, А.В.; Громовой, Ю.С.; Каганович, Э.Б.; Манойлов, Э.Г.; Кравченко, С.А.; Снопок, Б.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)

Рассмотрены сенсорные плазмон-поляритонные наноструктуры на основе пленок пористого оксида алюминия (por-Al₂O₃), нанесенные методом импульсного лазерного осаждения на поверхность золота. В измеренной в геометрии Кречмана ...
К 85-летию академика НАН Украины С.В. Свечникова

Автор відсутній (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)

В этом году исполнилось 85 лет организатору и бессменному главному редактору научно-технического сборника «Оптоэлектроника и полупроводниковая техника», известному ученому, академику Национальной академии наук Украины, ...
Титульные страницы и содержание

Автор відсутній (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)

Результати 1-20 з 108

Наступна сторінка

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека
Розділ

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника за датою випуску

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника за датою випуску

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Розділ

Мій обліковий запис