Михайловская, Е.В.; Данько, В.А.; Индутный, И.З.; Шепелявый, П.Е.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
При комнатной температуре исследована зависимость времени затухания фотолюминесценции (ФЛ) от энергии излучения в пористых наноструктурах nc-Si–SiOx. Образцы получали наклонным испарением SiO с последующим отжигом при 975 ...