Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Металлофизика и новейшие технологии
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2017 (том 39)
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2017, № 05
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Ismayilova, N.A.
dc.contributor.author	Orudzhev G.S.
dc.date.accessioned	2017-10-28T13:59:03Z
dc.date.available	2017-10-28T13:59:03Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1024-1809
dc.identifier.other	DOI: 10.15407/mfint.39.05.0657
dc.identifier.other	PACS numbers: 61.72.jd, 71.15.Ap, 71.15.Mb, 71.15.Nc, 71.20.Nr, 74.62.Dh
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125495
dc.description.abstract	Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation.	uk_UA
dc.description.abstract	Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности.	uk_UA
dc.description.abstract	Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe₂ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Металлофизика и новейшие технологии
dc.subject	Электронные структура и свойства	uk_UA
dc.title	Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal	uk_UA
dc.title.alternative	Энергия образования вакансий для заряженного и нейтрального состояний кристалла TlGaSe₂	uk_UA
dc.title.alternative	Енергія утворення вакансій для зарядженого та нейтрального станів кристалу TlGaSe₂	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA