Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Металлофизика и новейшие технологии
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2017 (том 39)
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2017, № 05
→
Переглянути статтю

Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal

Інші назви: Энергия образования вакансий для заряженного и нейтрального состояний кристалла TlGaSe₂
Енергія утворення вакансій для зарядженого та нейтрального станів кристалу TlGaSe₂

Тема: Электронные структура и свойства

Інший ID: DOI: 10.15407/mfint.39.05.0657
PACS numbers: 61.72.jd, 71.15.Ap, 71.15.Mb, 71.15.Nc, 71.20.Nr, 74.62.Dh

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125495

Посилання: Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Дата: 2017

Завантажень: 633

Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal

Анотація:

Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation.

Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности.

Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe₂ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини.

Показати повний запис статті