Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин

dc.contributor.author	Добровольский, Ю.Г.
dc.date.accessioned	2017-07-19T12:42:05Z
dc.date.available	2017-07-19T12:42:05Z
dc.date.issued	1999
dc.identifier.citation	Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122734
dc.description.abstract	Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков.	uk_UA
dc.description.abstract	The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.title	Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин	uk_UA
dc.title.alternative	Використання ефекту Кірліан для контроля якості напівпровідникових пластин	uk_UA
dc.title.alternative	The use of Kirlian effect for control of semiconductor wafer	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	Качество и надежность аппаратуры