Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots

Nikolenko, A.S. ; Kondratenko, S.V. ; Vakulenko, O.V.
Інший ID: PACS 73.63.-8, 73.63.Kv
URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121590
Посилання: Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots / A.S. Nikolenko, S.V. Kondratenko, O.V. Vakulenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.
Дата: 2006
Переглядів: 631
Завантажень: 389
Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots

Анотація:

Photovoltaic properties of Si samples with Ge quantum dots were studied. Photosensitivity spectra and current-voltage characteristics at 90 and 290 K were investigated. Negative photoconductivity of samples was revealed in the spectral range of 0.6 to 1.1 eV. Irregular temperature dependence of photo-emf in the temperature interval from 100 to 250 K was measured and analyzed.

Показати повний запис статті

Файли у цій статті

Icon
Name: 06-Nikolenko.pdf
Розмір: 134.2Кб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис