Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures

dc.contributor.author	Dugaev, V.K.
dc.contributor.author	Mironov, O.A.
dc.contributor.author	Kosyachenko, S.V.
dc.date.accessioned	2017-06-13T12:04:25Z
dc.date.available	2017-06-13T12:04:25Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1607-324X
dc.identifier.other	DOI:10.5488/CMP.3.4.835
dc.identifier.other	PACS: 77.65.Ly, 85.50.+k, 73.61.-r
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120979
dc.description.abstract	We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some recent experiments on these structures.	uk_UA
dc.description.abstract	Представлені результати розрахунків п’єзоелектричного ефекту в Si/SiGe багатошаровій структурі з вузькою квантовою ямою і товстим шаром легованого напівпровідного кремнію Si. Запропонована теорія є можливим поясненням деяких недавніх екпериментів на цих структурах.	uk_UA
dc.description.sponsorship	This work was partially supported by the Science and Technology Center of Ukraine under Grant No. 591.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики конденсованих систем НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Condensed Matter Physics
dc.title	Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures	uk_UA
dc.title.alternative	П’єзоелектричний ефект в модуляційно легованих гетероструктурах p -Si/SiGe/(001)Si	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA