Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures

Dugaev, V.K. ; Mironov, O.A. ; Kosyachenko, S.V.

Інші назви: П’єзоелектричний ефект в модуляційно легованих гетероструктурах p -Si/SiGe/(001)Si

Інший ID: DOI:10.5488/CMP.3.4.835
PACS: 77.65.Ly, 85.50.+k, 73.61.-r

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120979

Посилання: Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Підтримка: This work was partially supported by the Science and Technology Center of Ukraine under Grant No. 591.

Дата: 2000

Завантажень: 341

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures

Анотація:

We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some recent experiments on these structures.

Представлені результати розрахунків п’єзоелектричного ефекту в Si/SiGe багатошаровій структурі з вузькою квантовою ямою і товстим шаром легованого напівпровідного кремнію Si. Запропонована теорія є можливим поясненням деяких недавніх екпериментів на цих структурах.

Показати повний запис статті