Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова

Abstract

Экспериментально исследованы и проанализированы температурные зависимости стимулированного микроволновым полем максимального тока существования вихревого резистивного состояния широких и тонких оловянных пленок Ipm(T). Показано, что экспериментальнo полученные температурные зависимости тока Ipm(T) хорошо аппроксимируются формулами, аналогичными формуле для равновесного случая теории Асламазова Лемпицкого, в которой критическая температура Тс заменена стимулированной критической температурой TcP, причем это справедливо для всей температурной области существования режима широкой пленки. Обнаружено, что с увеличением частоты облучения абсолютная величина Ipm(T) растет, а температурная область стимуляции Ipm(T) расширяется в направлении более низких температур.

Експериментально досліджено та проаналізовано температурні залежності стимульованого мікрохвильовим полем максимального струму існування вихорового резистивного стану широких і тонких олов яних плівок Ipm(T) . Показано, що експериментально одержані температурні залежності струму Ipm(T) добре апроксимуються формулами, аналогічними формулі для рівноважного випадку теорії Асламазова Лемпицького, де критичну температуру Тс замінено стимульованою критичною температурою TcP, до речі це справедливо для вciєї температурної області існування режиму широкої плівки. Виявлено, що зі збільшенням частоти опромінення абсолютна величина Ipm(T) зростає, а температурна область стимуляції Ipm(T) розширюється в напрямку більш низьких температур.

The temperature dependences of the microwave field-enhanced highest current Ipm(T) at which the resistive vortex state exists in wide and thin tin films have been investigated experimentally and analyzed. It is shown that the experimental temperature dependences of the current Ipm(T). are fairly well approximated by formulas similar to those describing the equilibrium case in the Aslamazov– Lempitskiy theory in which the critical temperature Tc is replaced by the enhanced critical temperature TcP, which is valid for the whole temperature region of the existence of the wide film regime. It has been found that the magnitude of Ipm(T). increases with the irradiation frequency, while the temperature region of Ipm(T) enhancement extends towards lower temperatures.