Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Current flow mechanisms in p-i-n structures based on cadmium telluride
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, том 5
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Current flow mechanisms in p-i-n structures based on cadmium telluride
Інший ID:
PACS: 73.40.-c,73.40.Ty
Посилання:
Current flow mechanisms in p-i-n structures based on cadmium telluride / P.M. Gorley, M.V. Demych, V.P. Makhniy, Zs.J. Horvath, V.A. Shenderovsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 46-50. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
Дата:
2002
Переглядів:
687
Завантажень:
312
Анотація:
Electrical properties of p-i-n-structures obtained with low-temperature oxygen and lithium diffusion into low-resistive n-CdTe substrates have been investigated. The role of generation-recombination processes as well as trapping, impact ionization and overbarrier carriers transport in the dark current formation of samples studies have been defined.
