Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Konakova, R.V. | |
| dc.contributor.author | Milenin, V.V. | |
| dc.contributor.author | Voitsikhovskyi, D.I. | |
| dc.contributor.author | Kamalov, A.B. | |
| dc.contributor.author | Kolyadina, E.Yu. | |
| dc.contributor.author | Lytvyn, P.M. | |
| dc.contributor.author | Lytvyn, O.S. | |
| dc.contributor.author | Matveeva, L.A. | |
| dc.contributor.author | Prokopenko, I.V. | |
| dc.date.accessioned | 2017-06-06T13:08:26Z | |
| dc.date.available | 2017-06-06T13:08:26Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.citation | Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system / R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I. Voitsikhovskyi, A.B. Kamalov, E.Yu. Kolyadina, P.M. Lytvyn, O.S. Lytvyn, L.A. Matveeva, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 298-300. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1560-8034 | |
| dc.identifier.other | PACS 61.76.C, 73.40.K, 84.40 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119331 | |
| dc.description.abstract | For TiBx film ~50 nm thick formed by magnetron sputtering from a pressed target onto the <100> GaAs substrate we experimentally revealed lateral nonuniformity ordering at microwave irradiation (frequency of 2.45 GHz, illuminance of 1.5 W/cm²). This correlates with improvement of the TiBx-n-n⁺-GaAs diode structure parameters after similar microwave treatment. | uk_UA |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics | |
| dc.title | Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
