Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Features of Auger-emission in channeling
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, том 17
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Features of Auger-emission in channeling
Інший ID:
Features of Auger-emission in channeling
Посилання:
Features of Auger-emission in channeling / I.A. Kossko, A.Ye. Denisov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 97-99. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2014
Переглядів:
757
Завантажень:
395
Анотація:
Shown in this paper is the influence of channeling effect on formation of the
signal for low- and high-energy Auger-electrons observed in monocrystalline silicon. It
has been ascertained the anisotropic (wave-like) character of the yield value for lowenergy
Auger-electrons in silicon, when changing the angle of acting initial radiation
during sample rotation.
