Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy

Bilevych, Ye.O. ; Boka, A.I. ; Darchuk, L.O. ; Gumenjuk-Sichevska, J.V. ; Sizov, F.F. ; Boelling, O. ; Sulkio-Cleff, B.
Інший ID: PACS: 68.55Ac; 81.15.-z; 73.61.Ga; 78.66.Hf
URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118156
Посилання: Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy / Ye.O. Bilevych, A.I. Boka, L.O. Darchuk, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov, O. Boelling, B. Sulkio-Cleff // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 129-132. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
Дата: 2004
Переглядів: 649
Завантажень: 338
Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy

Анотація:

CdTe thin films were grown on different substrates: BaF₂ (111), polished Si (100), SiO₂, bulk CdTe (110) and HgxCd₁₋xTe layers by hot wall epitaxy (HWE). Chosen temperature parame-ters and technological process of thin film fabrication provided the growth rate of about 0.03 mm/min. The current-voltage characteristics and transmission spectra were measured. X-ray diffrac-tion data (XRD) measurements were carried out as well.

Показати повний запис статті

Файли у цій статті

Icon
Name: 02-Bilevich.pdf
Розмір: 172.5Кб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис