Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, том 7
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 2
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Bryksa, V.P.
dc.contributor.author	Tarasov, G.G.
dc.contributor.author	Masselink, W.T.
dc.contributor.author	Nolting, W.
dc.contributor.author	Mazur, Yu.I.
dc.contributor.author	Salamo, G.J.
dc.date.accessioned	2017-05-28T18:57:55Z
dc.date.available	2017-05-28T18:57:55Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors / V.Р. Bryksa, G.G. Tarasov, W.T. Masselink, W. Nolting, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 42 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1560-8034
dc.identifier.other	PACS: 72.15.Gd; 72.20.Му; 73.61.Ga
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118155
dc.description.abstract	Novel model of the diluted magnetic semiconductors (DMS) А₁₋xMnxВ possessing the metallic conductivity is proposed. Using the coherent potential technique the electron scattering by the randomly distributed Mn centers is taken into account. The exchange scattering of the electron spin by the localized magnetic mo exactly basing on the spin-polaron limit for the Vonsovskii Hamiltonian.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title	Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA