Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors

Bryksa, V.P. ; Tarasov, G.G. ; Masselink, W.T. ; Nolting, W. ; Mazur, Yu.I. ; Salamo, G.J.
Інший ID: PACS: 72.15.Gd; 72.20.Му; 73.61.Ga
URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118155
Посилання: Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors / V.Р. Bryksa, G.G. Tarasov, W.T. Masselink, W. Nolting, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 42 назв. — англ.
Дата: 2004
Переглядів: 686
Завантажень: 301
Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors

Анотація:

Novel model of the diluted magnetic semiconductors (DMS) А₁₋xMnxВ possessing the metallic conductivity is proposed. Using the coherent potential technique the electron scattering by the randomly distributed Mn centers is taken into account. The exchange scattering of the electron spin by the localized magnetic mo exactly basing on the spin-polaron limit for the Vonsovskii Hamiltonian.

Показати повний запис статті

Файли у цій статті

Icon
Name: 01-Briksa.pdf
Розмір: 194.0Кб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис