Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Hontaruk, O.
dc.contributor.author Konoreva, O.
dc.contributor.author Litovchenko, P.
dc.contributor.author Manzhara, V.
dc.contributor.author Opilat, V.
dc.contributor.author Pinkovska, M.
dc.contributor.author Tartachnyk, V.
dc.date.accessioned 2017-05-26T14:38:56Z
dc.date.available 2017-05-26T14:38:56Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals / O. Hontaruk, O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 30-35. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 29.40.-n, 85.30.-z, 85.60.Dw
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117739
dc.description.abstract Photoluminescence of GaP crystals irradiated by 1 MeV electrons was studied at 4.2 K. Samples were prepared using various technologies and doped by Te, Zn, Mg and N. Emission spectra were analyzed as dependent on the impurity content. Found was the electron irradiation influence on the luminescence intensity and its mechanism. Radiative recombination intensity was shown to recover efficiently within the temperature range 200-600 ºC, and the main annealing stage being at 200-400 ºC. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис