Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016, вип. 51 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016, вип. 51 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Матіюк, І.М.; Ткачук, А.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки ...
  • InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Матіюк, І.М.; Ткачук, А.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її ...
  • Взаимодействие твердых растворов ZnxCd1-xTe и Cd₀,₂Hg₀,₈Te с травителями системы NaNО₂–НІ–молочная кислота 
    Денисюк, Р.А.; Томашик, В.Н.; Денисюк, Т.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Исследованы процессы химического растворения монокристаллов CdTe, твердых растворов ZnxCd1-xTe (х = 0,04; 0,1) и Cd₀,₂Hg₀,₈Te в травителях системы NaNO₂–HI–молочная кислота. Построены концентрационные и кинетические ...
  • Вітаємо ювіляра! 
    Автор відсутній (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    21 липня 2016 року виповнилось 90 років відомому вченому академіку НАН України, Заслуженому діячеві науки і техніки України, Лауреату Державних премій України та СРСР, доктору технічних наук, професору Сергію Васильовичу ...
  • Гібридні наноструктури з квантовими точками А₂В₆ і металевими наночастинками (огляд) 
    Крюченко, Ю.В.; Корбутяк, Д.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Проаналізовано сучасний стан створення різноманітних гібридних напівпровідниково-металевих наноструктур і дослідження їх люмінесцентних властивостей. Такі структури демонструють незвичайні оптичні характеристики внаслідок ...
  • Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения 
    Семикина, Т.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Разработаны и представлены технологические режимы, позволяющие получать ZnO пленки с концентрацией носителей порядка 10¹⁶–10¹⁷см⁻³ методом атомного послойного осаждения (АПО). Проанализированы зависимости концентрации ...
  • Дослідження структурних властивостей халькогенідних стекол As₂S₃, легованих сріблом 
    Ревуцька, Л.О.; Паюк, О.П.; Стронський, О.В.; Гудименко, О.Й.; Губанова, А.О.; Криськов, Ц.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Наведено результати дослідження впливу срібла на структурні властивості халькогенідних стекол As₂S₃. Дослiдження структури проведено за допомогою методiв дифракцiї рентгенiвських променiв та спектроскопiї комбiнацiйного ...
  • Кристаллофосфоры красного цвета свечения на основе SrTiO₃:Pr³⁺, полученного золь-гель методом 
    Марчило, О.Н.; Завьялова, Л.В.; Наканиши, Йо.; Коминами, Х.; Хара, К.; Снопок, Б.А.; Свечников, С.В.; Беляев, А.Е. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Разработана золь-гель технология получения кристаллофосфоров красного цвета свечения на основе SrTiO₃:Pr³⁺. Исследованы спектры фото- и катодолюминесценции образцов с различным содержанием активатора Pr³⁺. Установлено, что ...
  • Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge 
    Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а ...
  • Методология объектно-ориентированного моделирования процессов адсорбции: особенности динамики формирования и пространственной самоорганизации поверхностных структур 
    Манойлов, Э.Г.; Кравченко, С.А.; Снопок, Б.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    В рамках концепции объектно-ориентированного моделирования эволюции сложных статистических ансамблей рассмотрены особенности динамики формирования и пространственной самоорганизации 2D-размерных структур на твердой поверхности ...
  • Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд) 
    Велещук, В.П.; Власенко, О.І.; Власенко, З.К.; Хміль, Д.М.; Камуз, О.М.; Борщ, В.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів та в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм ...
  • Оптоелектронний базовий модуль сенсорних систем метеорологічного та екологічного моніторингу 
    Кретуліс, В.С.; Мінакова, І.Є.; Олексенко, П.Ф. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Розроблено і створено оптоелектронний базовий модуль сенсорних систем метеорологічного та екологічного моніторингу атмосферного середовища, що складається з двох уніфікованих блоків випромінювача і фотоприймача та в своїй ...
  • Особливості фотонних кристалів (огляд) 
    Лисюк, В.О.; Костюкевич, С.О.; Костюкевич, К.В.; Коптюх, А.А.; Стащук, В.С. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    У роботі розглянуто особливості функціонування фотонних кристалів, методи створення фотонної забороненої зони та види математичного моделювання. Особливу увагу приділено методам виготовлення фотонних кристалів та принципам ...
  • Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації 
    Онищенко, В.Ф. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною ...
  • Сенсор поверхневого плазмонного резонансу з чутливим елементом на полімерній основі 
    Костюкевич, С.О.; Костюкевич, К.В.; Христосенко, Р.В.; Коптюх, А.А.; Москаленко, Н.Л.; Лисюк, В.О.; Погода, В.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Проведено порівняльний аналіз характеристик (резонансних кривих у газовому і рідкому середовищах та кінетики їх зміни при адсорбції молекул білка), отриманих при використанні сенсора поверхневого плазмонного резонансу (ППР) ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис