Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату

Abstract

Представлены результаты анализа поверхности имплантированных ионами Si⁺ с дозой 5•10¹³ см⁻² и энергиями 100—150 кеВ пленок железно-иттриевого ґраната, полученные с помощью рентґеновской фотоэлектронной спектроскопии, установлено относительное содержание основных химических элементов в поверхностном слое, получена информация об особенностях электронных состояний атомов на поверхности, валентных и структурных преобразований, происходящих в поверхностном слое под действием имплантации ионами кремния с разной энергией.

We have presented an analysis surface implanted of ions Si⁺ with dose of 5 • 10¹³ sm⁻² and the energies of 100—150 keV of iron-yttrium garnet films obtained using X-ray Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією. Remove selected

We have presented an analysis surface implanted of ions Si⁺ with dose of 5 • 10¹³ sm⁻² and the energies of 100—150 keV of iron-yttrium garnet films obtained using X-ray photoelectron spectroscopy, established the relative content of major chemical elements in the surface layer, obtained information about the features of electronic states atoms on the surface, the valence and structural changes occurring in the surface layer under implanted silicon with different energy.