Перегляд за автором "Гончарук, Н.М."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Гончарук, Н.М.; Карушкин, Н.Ф.; Малышко, В.В.; Ореховский, В.А. (Радіофізика та електроніка, 2013)
    В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели ...
  • Гончарук, Н.М.; Карушкин, Н.Ф.; Ореховский, В.А.; Малышко, В.В. (Радіофізика та електроніка, 2014)
    Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. ...