Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией

Abstract

В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое сравнимо с его временем пролета для данного диода.

У даній роботі вперше запропоновано та досліджено діод на основі однобар’єрної наноструктури з нерезонансним тунелюванням електронів та їх подальшим дрейфом в пролітному шарі. Дослідження проводились в рамках моделі малосигнального імпедансу з урахуванням часу затримки інжекції електрона, який можна порівняти з його часом прольоту для даного діода.

In this work for the first time the diode on the base of single-barrier nanostructure with non-resonance electron tunneling and subsequent drift in transit layer has been investigated. The research was conducted in the framework of impedance small-signal model with considering delay time of electron injection, which is comparable with electron transit time of the diode.