Перегляд за автором "Гулямов, Г."

Результати 1-9 з 9

Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника

Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю. (Физическая инженерия поверхности, 2011)

Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом ...
Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey

Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю.; Эркабоев, У.И. (Физическая инженерия поверхности, 2013)

Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов ...
Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках

Гулямов, Г.; Дадамирзаев, М.Г. (Физическая инженерия поверхности, 2014)

Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении ...
Температурная зависимость плотности поверхностных состояний, определенная с помощью нестационарной емкостной спектроскопии

Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю. (Физическая инженерия поверхности, 2010)

Проанализирована кинетика процесса перезарядки поверхностных состояний, границы раздела полупроводник-диэлектрик, показано, что экспериментальный сплошной спектр плотности поверхностных состояний (ППС), при низких ...
Температурная зависимость плотности энергетических состояний в сильном квантующем магнитном поле

Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю.; Эркабоев, У.И. (Физическая инженерия поверхности, 2014)

Исследовано влияние изменения циклотронной эффективной массы на температурную зависимость плотности энергетических состояний в сильном квантующем магнитном поле. С учетом зависимости циклотронной эффективной массы от ...
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний

Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что ...
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках

Гулямов, Г.; Гулямов, A.Г.; Мажидова, Г.Н. (Физическая инженерия поверхности, 2013)

У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що ...
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны

Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю.; Эркабоев, У.И. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной ...
Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃

Шамирзаев, C.Х.; Гулямов, Г.; Дадамирзаев, М.Г.; Шарибаев, Н.Ю.; Гулямов, А.Г. (Физическая инженерия поверхности, 2011)

Исследовано влияние переменной деформации на сопротивление тензочувствительных пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃. Получены фазовые траектории тензорезистивного эффекта на плоскости сопротивления деформации. Показано, что замкнутые ...

Результати 1-9 з 9

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Гулямов, Г."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Гулямов, Г."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис