Проанализирована кинетика процесса перезарядки поверхностных состояний, границы раздела
полупроводник-диэлектрик, показано, что экспериментальный сплошной спектр плотности
поверхностных состояний (ППС), при низких температурах превращается в дискретный энергетический спектр. Такая температурная зависимость обусловлена тем, что производная по
энергии от вероятности опустошения поверхностных состояний, при низких температурах
превращается в дельта-функцию Дирака. Предложена математическая модель, описывающая
ППС, определенная по нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Показано, что численный эксперимент, с использованием экспериментальных значений сплошной ППС, дает
возможность рассчитать дискретный спектр ППС.
Предложенная методика определения низкотемпературной ППС увеличивает разрешающую
способность нестационарной спектроскопии поверхностных уровней и релаксационных
методов измерения энергетического спектра плотности состояний.
Проаналізовано кінетику процесу перезарядження поверхневих станів, границі розподілу напівпровідник-діелектрик, показано, що експериментальний суцільний спектр щільності поверхневих станів (ЩПС), при низьких температурах перетворюється в дискретний енергетичний спектр. Така температурна залежність зумовлена тим, що похідна по енергії від ймовірності спустошення поверхневих станів, при низьких температурах перетворюється в дельтафункцію Дірака. Запропоновано математичну модель що описує ЩПС визначену за нестаціонарною спектроскопією глибоких рівнів. Показано, що числовий експеримент, з використанням експериментальних значень суцільної ЩПС, дає можливість розрахувати
дискретний спектр ЩПС.
Запропонована методика визначення низькотемпературної ЩПС збільшує розподільчу здатність
нестаціонарної спектроскопії поверхневих рівнів і релаксаційних методів виміру енергетичного
спектра щільності станів.
The Analyses kinetics of the process recharge surface conditions, borders of the section semiconductorinsulator,
is shown that experimental utter spectrum to density of the surface conditions (DSS),
under low temperature changes in discrete energy spectrum. Such warm-up dependency is conditioned
that that derivative on energy from probability of the havoc of the surface conditions, under low
temperature changes in delta-function Dirak. It is offered mathematical model describing DSS
determined on нестационарной спектроскопии deep level. It Is Shown that numerical experiment,
with use of experimental importance’s utter DSS, enables to calculate the discrete spectrum DSS.
The Offered methods of the determination низкотемпературной DSS enlarges the allowing ability
an transient spectroscopy of the surface stats and relaxation methods of the measurement of the
energy spectrum to density of the conditions.
Keywords: boundary of the section semiconductor-insulator, density of the surface stats, thermal
generation an equilibrium carriers of the charge, relaxation methods of the measurement of the energy
spectrum, statistics Shockley-Rid-Hall, a delta-function Dirac, spectroscope surface level, discrete
surface stats, MOS-structure, Al-SiO2
-Si.
