Перегляд за автором "Босый, В.И."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Испаритель для термического напыления материалов в вакууме 
    Босый, В.И.; Кохан, В.П.; Рахманов, Н.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Разработан испаритель оригинальной конструкции, предназначенный для термического распыления материалов в технологических процессах изготовления СВЧ-транзисторов, диодов и монолитных схем.
  • Концепция развития СВЧ полупроводниковой элементной базы в Украине 
    Падалко, В.Г.; Грищенко, С.Г.; Зубарев, В.В.; Ноговицын, А.В.; Николаенко, Ю.Е.; Чмиль, В.М.; Босый, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1999)
    Показаны актуальность, основные направления и целесообразные этапы восстановления и развития производства СВЧ элементной базы в Украине.
  • Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников 
    Босый, В.И.; Иващук, А.В.; Ковальчук, В.Н.; Семашко, Е.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты ...
  • Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков 
    Шварц, Ю.М.; Шварц, М.М.; Иващенко, А.Н.; Босый, В.И.; Максименко, А.Г.; Сапон, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое ...
  • Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития 
    Струхляк, Н.Я.; Заячук, Д.М.; Круковский, С.И.; Босый, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Проведен обзор состояния и тенденций развития технологии изготовления светоизлучающих диодов белого света. Систематизированы параметры сверхъярких белых светодиодов, светодиодных модулей и источников света.
  • СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн 
    Иващук, А.В.; Босый, В.И.; Ковальчук, В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18-36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов ...
  • Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах 
    Босый, В.И.; Коржинский, Ф.И.; Семашко, Е.М.; Середа, И.В.; Середа, Л.Д.; Ткаченко, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.
  • Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов 
    Босый, В.И.; Данилов, Н.Г.; Кохан, В.П.; Новицкий, В.А.; Семашко, Е.М.; Ткаченко, В.В.; Шпоняк, Т.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.