Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Сапаев, И.Б. | |
| dc.date.accessioned | 2016-05-04T16:01:34Z | |
| dc.date.available | 2016-05-04T16:01:34Z | |
| dc.date.issued | 2013 | |
| dc.identifier.citation | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99830 | |
| dc.description.abstract | Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx Te1-x на границе гетероструктуры n/Si-n/CdSx Te1-x. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого розчину CdSx Te1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток твердого розчину CdSx Te1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSx Te1-x. | uk_UA |
| dc.description.abstract | It is made heterojunction n/Si-n/CdSx Te1-x by a method of a vacuum dusting of a film of firm solution CdSx Te1-x on a surface monocrystalline n/Si. The basic electric and photo-electric properties of heterojunction are investigated. Values of a constant crystal lattice of firm solution CdSx Te1-x on heterostructure border n/Si-n/ CdSx Te1-x are defined. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Физическая инженерия поверхности | |
| dc.title | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры | uk_UA |
| dc.title.alternative | Дослідження електричних і фотоелектричних властивостей In-CdSxTe1-x-Si-In-структури | uk_UA |
| dc.title.alternative | Research of electric and photo-electric properties In-CdSx Te1-x-Si-In structures | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 53.043;53.023;539.234. |
