Разогрев электронов и дырок в несимметричном p-n-переходе, находящемся в СВЧ поле

Abstract

Исследованы токи и ЭДС, возникающие в p-n-переходах при воздействии сильного СВЧ поля с учетом одновременного разогрева электронов и дырок. Выявлено что, в несимметричном p-n-переходе в сильном СВЧ поле для анализа напряжения и токов необходимо, учитывать как разогрев электронов, так и дырок. Установлено что, полный ток и генерируемое напряжение определяется не температурой горячих электронов, а температурой тех носителей, которые являются доминирующими.

Досліджено струми та ЕДС, які виникають в p-n-переходах за умови впливу сильного СВЧ поля з урахуванням одночасного розігріву електронів і дірок. Виявлено що, у несиметричному p-n- переході в сильному СВЧ полі для аналізу напруги та струмів необхідно, враховувати як розігрів електронів, так і дірок. Установлено що, повний струм і напруга, яка генерується визначається не температурою гарячих електронів, а температурою домінуючих носіїв.

Studied currents and EMF arising pn-junctions under the influence of a strong microwave field with the simultaneous heating of electrons and holes. Revealed that, in asymmetric p-n-junction in a strong microwave field for the analysis of voltage and current necessary to consider both the heating of the electrons and holes. Found that the total current and the generated voltage is not the temperature of hot electrons, and the temperature of the media, which are dominant.