Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Куровець, В.В.
dc.contributor.author Федорів, В.Д.
dc.contributor.author Яремій, І.П.
dc.date.accessioned 2016-04-19T14:43:25Z
dc.date.available 2016-04-19T14:43:25Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату / В.В. Куровець, В.Д. Федорів, І.П. Яремій // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 47–51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.issn 1999-8074
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98928
dc.description.abstract Проведено вимірювання мікротвердості монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату різних товщин як неімплантованих, так і модифікованих бомбардуванням іонами гелію (Е = 100 кеВ, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Встановлено, що мікротвердість плівок залізо-ітрієвого ґранату із збільшенням товщини плівки зростає. Показано наявність мінімуму (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на залежності виміряної величини мікротвердості плівок залізо-ітрієвого ґранату від дози опромінення іонами гелію. uk_UA
dc.description.abstract Проведены измерения микротвердости монокристаллических пленок железо-иттриевого граната разных толщин как неимплантированных, так и модифицированных бомбардированием ионами гелия (Е = 100 кэВ, D = 1•10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Установлено, что микротвердость пленок железо-иттриевого граната с увеличением толщины пленки возрастает. Показано наличие минимума (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на зависимости измеренной величины микротвердости пленок железо-иттриевого граната от дозы облучения ионами гелия uk_UA
dc.description.abstract The results of microhardness measurements of various thicknesses nonimplanted and implanted by helium ions E = 100 keV, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ ion/cm² single crystalline YIG films are represented. It is set that microhardness of YIG films increases with the increase of film thickness. The presence of a minimum (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /сm² ) on the dose dependence of measured values microhardness of helium implanted YIG films is performed. Remove selected uk_UA
dc.description.sponsorship Робота виконана за підтримки CRDF/ USAID (UKX 2-9200-IF-08) та МОН України (М/130-2009). uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физическая инженерия поверхности
dc.title Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 548.55:53.091


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис